삼성, 10나노급 6세대 D램에

삼성, 10나노급 6세대 D램에삼성, 10나노급 6세대 D램에

삼성, 10나노급 6세대 D램에 '비밀병기' 적용하나

연내 양산 계획 차세대 D램에

'드라이 레지스트' 적용 검토

EUV 회로 견고하게·비용 낭비도 줄여

9일 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS) 부문은 10나노급 6세대 D램에 드라이 레지스트 기술을 도입하기 위한 자체 평가를 진행하고 있다.

드라이 레지스트 기술은 빛으로 반도체 회로를 새기는 노광 공정 직전에 활용된다. 통상 노광 공정 전에는 빛과 반응하는 액체 감광액(포토레지스트·PR)을 웨이퍼 위에 바른다. 그러나 드라이 레지스트는 이 과정에서 액체 PR을 쓰지 않고, 화학 반응으로 웨이퍼 위에 얇은 막을 쌓는다.

다양한 장점이 있다. 우선 액체로 PR을 바를 때보다 고르고 얇은 막을 만들 수 있다. 또한 초미세 회로를 더욱 정확하게 찍을 수 있고, 액체 PR보다 소재를 덜 낭비한다는 특징도 있다.

삼성전자는 10나노급 6세대 D램을 구성하는 40~50개 층에서 한 개의 회로층에 이 기술을 쓰는 방안을 검토하고 있다. 또한 초미세 회로를 찍어내는 극자외선(EUV)용 PR로 활용될 예정이다. 삼성은 드라이 레지스트를 업계에서 가장 먼저 개발한 세계적인 장비 업체 램리서치와 협력하고 있는 것으로 알려졌다. 

삼성전자가 10나노급 6세대 D램에 이 기술을 최초로 도입하려는 이유는 '초격차' 확보 때문이다. 삼성전자는 4월 미국에서 열린 '멤콘 2024' 학회에서 10나노급 6세대 D램을 연내 양산할 것이라고 발표했다.

하지만 차세대 제품을 개발하는 속도는 SK하이닉스가 한발 앞섰다. SK하이닉스는 지난달 말 10나노급 6세대 D램에 대한 개발을 완료해 양산 준비에 들어간다고 발표했다.